型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: 电子元器件分类描述: 双向 15.3V72265+￥4.927525+￥4.562550+￥4.3070100+￥4.1975500+￥4.12452500+￥4.03335000+￥3.996810000+￥3.9420 -
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品类: 电子元器件分类描述: Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 256V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE, DO-201AE, 2 PIN59065+￥4.765525+￥4.412550+￥4.1654100+￥4.0595500+￥3.98892500+￥3.90075000+￥3.865410000+￥3.8124 -
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品类: 电子元器件分类描述: 双向 102V48695+￥4.927525+￥4.562550+￥4.3070100+￥4.1975500+￥4.12452500+￥4.03335000+￥3.996810000+￥3.9420 -
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品类: 电子元器件分类描述: 双向 9.4V44005+￥4.927525+￥4.562550+￥4.3070100+￥4.1975500+￥4.12452500+￥4.03335000+￥3.996810000+￥3.9420 -
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品类: 电子元器件分类描述: Diode TVS Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW 2-Pin DO-201AD75985+￥4.590025+￥4.250050+￥4.0120100+￥3.9100500+￥3.84202500+￥3.75705000+￥3.723010000+￥3.6720 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors20745+￥2.700025+￥2.500050+￥2.3600100+￥2.3000500+￥2.26002500+￥2.21005000+￥2.190010000+￥2.1600 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage82425+￥2.848525+￥2.637550+￥2.4898100+￥2.4265500+￥2.38432500+￥2.33165000+￥2.310510000+￥2.2788 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors72505+￥1.768525+￥1.637550+￥1.5458100+￥1.5065500+￥1.48032500+￥1.44765000+￥1.434510000+￥1.4148 -
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品类: 二极管描述: Tvs Diode 12vwm 21.2vc Axial22125+￥2.713525+￥2.512550+￥2.3718100+￥2.3115500+￥2.27132500+￥2.22115000+￥2.201010000+￥2.1708 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor18765+￥2.754025+￥2.550050+￥2.4072100+￥2.3460500+￥2.30522500+￥2.25425000+￥2.233810000+￥2.2032 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors33775+￥1.768525+￥1.637550+￥1.5458100+￥1.5065500+￥1.48032500+￥1.44765000+￥1.434510000+￥1.4148 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors15705+￥2.254525+￥2.087550+￥1.9706100+￥1.9205500+￥1.88712500+￥1.84545000+￥1.828710000+￥1.8036 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor44095+￥26.757950+￥25.6144200+￥24.9740500+￥24.81401000+￥24.65392500+￥24.47095000+￥24.35667500+￥24.2422 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors69625+￥2.821525+￥2.612550+￥2.4662100+￥2.4035500+￥2.36172500+￥2.30955000+￥2.288610000+￥2.2572 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage37305+￥1.768525+￥1.637550+￥1.5458100+￥1.5065500+￥1.48032500+￥1.44765000+￥1.434510000+￥1.4148 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage84265+￥2.700025+￥2.500050+￥2.3600100+￥2.3000500+￥2.26002500+￥2.21005000+￥2.190010000+￥2.1600 -
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品类: TVS二极管描述: ON SEMICONDUCTOR 1N6290AG TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 53 V, 85 V, 轴向引线, 2 引脚98045+￥4.117525+￥3.812550+￥3.5990100+￥3.5075500+￥3.44652500+￥3.37035000+￥3.339810000+￥3.2940 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage75545+￥2.673025+￥2.475050+￥2.3364100+￥2.2770500+￥2.23742500+￥2.18795000+￥2.168110000+￥2.1384 -
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品类: TVS二极管描述: ON SEMICONDUCTOR 1N6286AG TVS二极管, MOSORB Series, 单向, 36.8 V, 59.3 V, 轴向引线, 2 引脚 新73635+￥2.902525+￥2.687550+￥2.5370100+￥2.4725500+￥2.42952500+￥2.37585000+￥2.354310000+￥2.3220 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors85705+￥2.700025+￥2.500050+￥2.3600100+￥2.3000500+￥2.26002500+￥2.21005000+￥2.190010000+￥2.1600 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor74275+￥2.619025+￥2.425050+￥2.2892100+￥2.2310500+￥2.19222500+￥2.14375000+￥2.124310000+￥2.0952 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor17515+￥2.322025+￥2.150050+￥2.0296100+￥1.9780500+￥1.94362500+￥1.90065000+￥1.883410000+￥1.8576 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor59335+￥3.334525+￥3.087550+￥2.9146100+￥2.8405500+￥2.79112500+￥2.72945000+￥2.704710000+￥2.6676 -
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品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage28705+￥1.768525+￥1.637550+￥1.5458100+￥1.5065500+￥1.48032500+￥1.44765000+￥1.434510000+￥1.4148
